東芝 <6502> は、韓国ハイニックス社と、ＭＲＡＭ（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ）技術を共同開発することで合意し、韓国利川（イチョン）にあるハイニックス社の研究施設に両社の技術者を集結し、共同開発を行う。

　　ＭＲＡＭは、低消費電力で、書き込み速度が高速という特長を持つ不揮発性メモリで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリと組み合わせたシステムにより、新たなアプリケーションの創出が期待できる。協業のステップとして、ＮＡＮＤ、ＨＤＤを含めたすれとー時事業におけるメモリ統合ソリューションの推進を主導する。